作者的详细信息
Васильевский, И.
| 期 | 栏目 | 标题 | 文件 |
| 卷 52, 编号 3 (2023) | МОДЕЛИРОВАНИЕ | Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor | |
| 卷 52, 编号 1 (2023) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ | Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора |