Температурные зависимости проводимости одноосно деформированного топологического изолятора TaSe3 при различных методах создания деформации
- Авторы: Минакова В.Е.1, Лукманова Р.М.1,2, Кон И.А.1,2, Зайцев-Зотов С.В.1,2
-
Учреждения:
- Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
- Национальный исследовательский университет “Высшая школа экономики”
- Выпуск: Том 69, № 5 (2024)
- Страницы: 463-468
- Раздел: НАНОЭЛЕКТРОНИКА
- URL: https://medjrf.com/0033-8494/article/view/650678
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849424050098
- EDN: https://elibrary.ru/ILBQGE
- ID: 650678
Цитировать
Аннотация
Представлены результаты исследований влияния одноосной деформации на проводимость топологического изолятора TaSe3. С помощью приложения контролируемого удлинения измерена зависимость сопротивления при комнатной температуре от величины удлинения вплоть до рекордных значений удлинения ε = 2%. С использованием методики изгиба эластичной подложки измерения расширены в сторону деформации сжатия. Обнаружено, что зависимость сопротивления от деформации описывается соотношением R = R0exp(−aε) при a ≈ 102. Изучено влияние одноосной деформации на температурные зависимости проводимости при использовании различных методов создания деформации. При создании деформации более 0.5 ± 0.1% методом контролируемого удлинения материал переходит в диэлектрическое состояние в диапазоне температур от гелиевых до 300 К, при деформациях более 1% при температурах 50…70 К возникает максимум сопротивления, связываемый с частичной релаксацией одноосной деформации в объеме образца. Показано, что использование широко применяемой методики изгиба подложки создания деформации может приводить к появлению артефактов на температурных зависимостях проводимости образцов.
Об авторах
В. Е. Минакова
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Email: serzz@cplire.ru
Россия, ул. Моховая, 11, корп. 7, Москва, 125009
Р. М. Лукманова
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН; Национальный исследовательский университет “Высшая школа экономики”
Email: serzz@cplire.ru
Physics Department
Россия, ул. Моховая, 11, корп. 7, Москва, 125009; Мясницкая ул., 20, Москва, 101000И. А. Кон
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН; Национальный исследовательский университет “Высшая школа экономики”
Email: serzz@cplire.ru
Physics Department
Россия, ул. Моховая, 11, корп. 7, Москва, 125009; Мясницкая ул., 20, Москва, 101000С. В. Зайцев-Зотов
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН; Национальный исследовательский университет “Высшая школа экономики”
Автор, ответственный за переписку.
Email: serzz@cplire.ru
Physics Department
Россия, ул. Моховая, 11, корп. 7, Москва, 125009; Мясницкая ул., 20, Москва, 101000Список литературы
- Sambongi T., Yamamoto M., Tsutsumi K. et al. // J. Phys. Soc. Jap. 1977. V. 42. № 4. P. 1421.
- Tritt T. M., Stillwell E. P., Skove M. J. // Phys.Rev. 1986. V. 34. № 10. P. 6799.
- Nie S., Xing L., Jin R. et al. // Phys. Rev. B. 2018. V. 98. № 12. P. 125143.
- Lin C., Ochi M., Kuroda K. et al. // Nature Mater. 2021. V. 20. № 8. P. 1093.
- Hyun J., Jeong M. Y., Jung M. et al. // Phys. Rev. B. 2022. V. 105. № 11. P. 115143.
- Zhang Z., Li L., Horng J. et al. // Nano Lett. 2017. V. 17. № 10. P. 6097.
- Zybtsev S. G., Pokrovskii V. Ya. // Physica B: Condensed Matter. 2015. V. 460. P. 34.
- Haen P., Monceau P., Tisser B. et al. // Proc. 14 Int. Conf. on Low Temperature Physics. Otaniemi. August 14–20 Aug.1975 /Ed by M. Krusius, M. Vuorio. Amsterdam: North Holland Publishing Company, 1975. V. 5. Р. 445.
- Chaussy J., Haen P., Lasjaunias J. C. et al. // Solid State Commun. 1976. V. 20. № 8. P. 759.
- Yang J., Wang Y. Q., Zang R. R. et al. Appl. Phys. Lett. 2019. V. 115. № 3. P. 033102.
- Pokrovskii V. Ya., Zybtsev S. G. // Phys. Rev. B. 2016. V. 94. № 11. P. 115140.
Дополнительные файлы
