Boundary of the Glass Formation Region in the Tm–As–S and Tm–As–Se Ternary Systems

T. M. Il’yasly; Ильяслы Т. М.; G. G. Gahramanova; Гахраманова Г. Г.; Z. I. Ismailov; Исмаилов З. И.

doi:10.31857/S0132665122100031

Boundary of the Glass Formation Region in the Tm–As–S and Tm–As–Se Ternary Systems

作者: Il’yasly T.M.¹, Gahramanova G.G.¹, Ismailov Z.I.¹
隶属关系:
1. Baku State University
期: 卷 49, 编号 2 (2023)
页面: 217-220
栏目: КРАТКОЕ СООБЩЕНИЕ
URL: https://medjrf.com/0132-6651/article/view/663267
DOI: https://doi.org/10.31857/S0132665122100031
EDN: https://elibrary.ru/NOTPOQ
ID: 663267

如何引用文章

全文:

开放存取

##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问

订阅存取

详细
作者简介
参考
补充文件
统计

详细

Based on the data obtained by complex methods of physicochemical analysis on studying various sections of ternary Tm–As–S(Se) systems and using the published data, the boundary of the glass formation region of the Tm–As–S and Tm–As–Se system is determined. It is established that at a cooling rate of 10 deg/min in the Tm–As–S system, the glass formation area of the system’s glass is 33 at % of the total area of the triangle; and at a cooling rate of 102 deg/min, 51 at % of the total area of the triangle. In the Tm–As–Se system under the specified cooling regimes, the glass area is 35 and 54 at %, respectively.

关键词

synthesis, glass, temperature, alloy, system, semiconductor

参考

Дембовский С.А. Стеклообразование. М.: Наука, 1990. 380 с.
Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. ЛГУ. 1983. 263 с.
Цэндин К.Д. Электронные явления в стеклообразных полупроводниках. М.: Наука, 1996. 486 с.
Козюхин С.А., Файрушин А.Р., Воронков Э.Н. Свойства аморфных пленок халь когенидов мышьяка, модифицированных комплексными соединениями редкоземельных элементов // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39(8). С. 1012–2016.
Фатуллаева Г.М., Бахтиярлы И.Б., Керимли О.Ш. Физико-химические исследования стеклообразования в системе As2S3–Er2O3. // Журн. Учен. Записки. 2017. № 2. С. 102–106.
Худиева А.Г., Ильяслы Т.М., Исмаилов З.И. Исследование тройной системы Nd–As–S по различном разрезом // Международный журн. прикладных и фундаменталных исследований. 2016. № 4(5). С. 902–905.
Mochalov L., Logunov A., Zelentsov S., Kudryashov M., Nezhdanov A., Gogova D., Mashin A.A Novel method for synthesis of arsenic sulfide films employing conversion of arsenic monosulfide in a plasma discharge // Superlattices and Microstructures. 2018. V. 120. P. 264–271.
Ильяслы Т.М., Гахраманова Г.Г., Исмаилов З.И. // Стеклоообразование в тройной системе Tm–As–S // East European Scientific J. 2018. № 3(2). С. 60–64.
Zakery A., Elliott S. Optical properties and applications of chalcogenide glasses: a review // J. Non-Crystalline Solids. 2003. № 1–3(330). P. 1–12.
Ilyasly T.M., Gahramanova G.H., Abbasova R.F., Veysova S.M., İsmailov Z.İ. İnvestigation of the electrical properties of glasses of Tm–As–S and Tm–As–Se systems // Neü materials, Compounds and Applications. Baku: 2021. V. 5. № 3. P. 227–234.
Ильяслы Т.М., Гахраманова Г.Г., Наджафоглы Г. Кристаллизация стекло на основе As2S3 c участием Tm методом ДТА // Евразийский Союз Ученых (ЕСУ). 2019. Т. 3(60). С. 44–46.
Ильяслы Т.М., Садыгов Ф.М., Байрамова У.Р., Мамедова Л.М., Кахраманова Г.Г. Квазибинарные разрезы As2S3–ТmS и As2S3–Тm2S3 тройной системы Тm–As–S // Межд-ный журн. прекд. и фунда-ных иссл-ный. 2017. № 8. Ч. 1. С. 40–44.
Ильяслы Т.М., Худиева А.Г., Исмаилов З.И. Стеклообразования и свойства стекол на основе As2S3 с участием Dy и его сульфидов // Евразийский Союз Ученых (ЕСУ). 2019. Т. 3(60). С. 62–66.
Ashok U., Monali V., Yogesh S. Synthesis of Nanostructured As2S3 thin films by chemical Route: Effect of complexing agent // İnternational Conference: Benchmarks in Engineering Science and Technology İCBEST, -7-8 September, 2012. P. 15–17.
Ильяслы Т.М., Гасанова Д.Т., Исмаилов З.И. Исследование области стеклообразования по разрезам As2S3-HoS и As2S3-Ho2S3 // Восточно Европейский журн. 2021. Т. 2(66). С. 72–77.
Виноградова Г.З. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. Двойные и тройные системы. М.: Наука, 1984. 176 с.