Poluprovodnikovyy diskovyy lazer na geterostrukture GalnP/AlGalnP s vnutrirezonatornoy nakachkoy v kvantovye yamy

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Acesso é pago ou somente para assinantes

Resumo

Исследован впервые реализованный импульсный полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GaInP/AlGaInP с 25 квантовыми ямами, излучающий на длине волны 642.5 нм при внутрирезонаторной накачке в квантовые ямы излучением лазера на красителе с длиной волны 614.5 нм. Достигнута импульсная мощность ∼ 80 Вт при длительности импульса ∼ 0.5 мкс. Мощность ограничивается процессом разрушения структуры. Обнаружена временная модуляция излучения лазера на красителе с гетероструктурой внутри резонатора с периодом ∼ 6 нс, не равным времени обхода резонатора.

Sobre autores

A. Elsherbini

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”

Москва, Россия

V. Kozlovskiy

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН

Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Москва, Россия

Ya. Skasyrskiy

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН

Москва, Россия

M. Frolov

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН

Москва, Россия

Bibliografia

  1. Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers.VECSEL Technology and Applications, ed. by M. Jetter and P. Michler, Wiley-VCH, Weinheim, Germany (2021).
  2. J. Hastie, S. Calvez, and M. Dawson, Semiconductor disk lasers (VECSELs), in A. Baranov and E. Tournie (editors), Semiconductor lasers: fundamentals and applications, Woodhead Publishing Limited, Sawston, Cambridge (2013).
  3. Semiconductor Disk Lasers: Physics and Technology, Ed. by O. G. Okhotnikov, Wiley-VCH Berlin, Germany (2010).
  4. M. Guina, A. H¨ark¨onen, V.-M. Korpij¨orvi, T. Leinonen, and S. Suomalainen, Advances in Optical Technologies 2012, 265010 (2012).
  5. H. P. Kahle, M. Jetter, and P. Michler, Optically Pumped Red-Emitting AlGaInP-VECSELs and the MECSEL Concept, in Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers, ed. by M. Jetter and P. Michler, Wiley-VCH, Weinheim, Germany (2021).
  6. D. Priante, M. Zhang, A. R. Albrecht, R. Bek, M. Zimmer, and C. L. Nguyen, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 28(1), 1700407 (2022).
  7. C. M. N. Mateo, U. Brauch, H. Kahle, T. Schwarzback, M. Jetter, M. A. Ahmed, P. Michler, and T. Craf, Opt. Lett. 41(6), 1245 (2016).
  8. В. И. Козловский, С. М. Женишбеков, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, Квантовая электроника 53(12), 891 (2023) [Bull. Lebedev Phys. Inst. 51(S3), S191 (2024)].
  9. Y. Matsuoka, J. Phys. D: Appl. Phys. 9, 215 (1976).
  10. В. С. Владимиров, Уравнения математической физики, Наука, М. (1971), с. 260.
  11. http://www.matprop.ru/GaInP.
  12. S. D. Jacobs, D. G. Angeley, D. S. Smith, and J. C. Lambropoulos, Thermal conductivity measurements of dielectric thin films on optical substrates. Annual Meeting Optical Society of America Technical Digest Series, Optica Publishing Group, Seattle, Washington United States (1986), p. TUR4.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2025