УСТРОЙСТВА
| Шығарылым | Атауы | Файл | |
| Том 52, № 3 (2023) | Simulation of a System of Nanoantennas Located in a TSV Channel as a System for Receiving and Transmitting Data |
 (Rus) |
|
| Serov D., Khorin I. | |||
| Нәтижелер 1 - 1/1 | |||
Пайдаланушы
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
bipolar transistor
charge qubit
dissociation
etching
fluorocarbon gases
gas temperature
ionization
kinetics
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
Ағымдағы шығарылым
Том 53, № 6 (2024)
×
Пайдаланушы
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
bipolar transistor
charge qubit
dissociation
etching
fluorocarbon gases
gas temperature
ionization
kinetics
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
Ағымдағы шығарылым