English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Mikroèlektronika
ISSN 0544-1269 (Print)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Жазылу
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • авторлар
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Förster effect bipolar transistor charge qubit dissociation etching fluorocarbon gases gas temperature ionization kinetics mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization quantum dot radiation intensity reduced electric field strength resistive switching silicon specific power
Ағымдағы шығарылым

Том 53, № 6 (2024)

×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • авторлар
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Förster effect bipolar transistor charge qubit dissociation etching fluorocarbon gases gas temperature ionization kinetics mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization quantum dot radiation intensity reduced electric field strength resistive switching silicon specific power
Ағымдағы шығарылым

Том 53, № 6 (2024)

Бастапқы > Іздеу > Журнал бөлімдері > ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Шығарылым Атауы Файл
Том 52, № 5 (2023) The Influence of Small F2, H2, and HF Additives on the Concentration of Active Particles in Tetrafluoromethane Plasma PDF
(Rus)
Efremov A., Smirnov S., Betelin V.
Том 52, № 4 (2023) Concentration of Fluorine Atoms and Kinetics of Reactive-Ion Etching of Silicon in CF4 + O2, CHF3 + O2, and C4F8 + O2 Mixtures PDF
(Rus)
Efremov A., Bobylev A., Kwon K.
Нәтижелер 2 - 1/2
 

JOURNALS

Journal list

Search Articles

Manuscript submission

Services for Authors

LEGAL INFORMATION

User's personal data processing consent

Privacy statement

End user license agreement

Policy on distribution of notifications and marketing information

INFORMATION

Publisher's Blog

SERVICES

Subscription

Advertisement

Help with the site

CONTACTS Eco-Vector

Aptekarskiy per, d. 3, lit. A, office 1H, 191181 Saint-Petersburg, Russia

Phone: +7 (812) 648 8367

Email: info@eco-vector.com

SUBSCRIPTION

Phone: +7 (495) 409 8339

Email: podpiska@eco-vector.com

 

Developed by ECO-VECTOR

 

Powered by EVESYST

TOP