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Nº 10 (2024)
Investigation of high-intensity implantation of titanium ions into silicon under conditions of the beam’s energy impact on the surface
Ivanova А., Vakhrushev D., Korneva О., Gurulev А., Varlachev V., Efimov D., Chernyshev А.
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(Rus)
Nº 4 (2025)
Two channels of minority charge carriers recombination in a homogeneous semiconductor target
Seregina Е., Stepovich M., Filippov M.
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(Rus)
Nº 9 (2024)
On anomalous diffusion of fast electrons through the silicon crystal
Syshchenko V., Tarnovsky A., Dronik V.
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(Rus)
Nº 9 (2024)
Synthesis of gallium (II) sulfide
Borisenko D.
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(Rus)
Nº 11 (2023)
Determination of the Thicknesses of Monolayer Coatings Exposed to Ion Bombardment by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
Afanas’ev V., Lobanova L., Selyakov D., Semenov-Shefov M.
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(Rus)
Nº 1 (2024)
Composition of silicon jointly doped with impurity atoms of gallium and phosphorus
Zikrillaev N., Koveshnikov S., Turekeev X., Ismailov B.
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(Rus)
Nº 4 (2024)
Layered composite material of niobium–ceramic
Kamynina O., Vadchenko S., Kovalev I., Prokhorov D., Andreev D., Nekrasov A.
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(Rus)
Nº 3 (2023)
On a Mathematical Model of the Diffusion of Excitons in a Semiconductor Taking into Account Their Variable Lifetime
Seregina E., Stepovich M., Filippov M.
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(Rus)
Nº 2 (2024)
Simulation of the Diffusion of Copper Atom on Graphene by Molecular Dynamics
Khudyakov S., Kolesnikov S., Saletsky A.
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(Rus)
Nº 9 (2023)
Layered Composite Materials Based on Ti/Ta/Hf/Ceramic to Solve Tasks under Extreme Conditions
Kamynina O., Vadchenko S., Kovalev I., Prokhorov D.
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(Rus)
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